インテル、相変化メモリーを年内大量生産へ

インテル、相変化メモリーを年内大量生産へ 1インテルが今年末までに相変化メモリー(PCMかPRAM)の大量生産を行う計画を発表しました。

この相変化メモリーはNirvanaにきわめて近いものになります…

フラッシュは電子を貯めたり放ったりすることで情報を保存しますから処理に10ナノ秒かかる上、読み取りや書き込みのサイクル数も限られてしまうんですけど、PRAM技術だと基本は化学原理。固体から液体に変わるカルコゲン化合物のように状態が変わり、それを(RW光学メディアのように)計測することで情報を保存しますから処理時間は5ns(ナノ秒)未満書き込みサイクルはなんと1億回前後もサポートできるんです(この書き方でいいのかな?)。

初期テストでは室温華氏85度で10年は情報を保持できる可能性を見せたそうですよ?

つまりなんですか、ポルノグラフィーももっと長くキレイに保存できる…? と、一瞬期待したら、製造するのはRAMだけでストーレッジ端末つくるわけじゃないようです。無念。

(編訳/satomi)

Intel to Sample Phase Change Memory This Year [dailytech]