iPhone 6 Plus 128GBのクラッシュ問題はメモリのコントローラICが原因?

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できればアップデートで直ってほしい。

一部のiPhone 6 Plus 128GB報告されているクラッシュ問題。アプリを切り替えたり通知を確認すると、突然OSがクラッシュして再起動を初めてしまうというものですが、その原因はフラッシュメモリのコントローラICにあるのではないか、との指摘が報道されています。

iPhone 6 Plus 128GBにはTLCという形式のフラッシュメモリが搭載されているんですが、これは他の形式(SLCやMLC)に比べて安価で速度が遅く、信頼度も低いという特徴があります。その他のiPhoneにはMLC形式のフラッシュメモリが搭載されているんですが、コストの関係からか128GBにはTLCが採用されており、どうもこれがトラブルの原因かもしれないんです。

以前、同じTLCのフラッシュメモリを採用したサムスンのSSD「SSD 840」や「SSD 840 EVO」でも速度低下などのトラブルが報告されています。その時にも問題の原因だと指摘されたのが、メモリのコントローラIC。サムスンはファームウェアのアップデートに取り組んでいますが、iPhone 6 Plusの問題もファームウェアのアップデートで解決するんでしょうか。

もしフラッシュメモリに原因があるのなら、アップルはこれまで販売したiPhone 6 Plus 128GBを回収する必要があるんじゃないか、と指摘する声もありますが…。はたしてどうなるんでしょう。

source: BusinessKorea

(塚本直樹)